เมื่อช่วงกลางเดือนมีนาคม ปี 2019 Samsung เปิดตัว DRAM ที่มีความจุสูงถึง 12GB ภายใต้แพ็กเกจชิปเดียว ซึ่งนับว่าเป็นชิปหน่วยความจำที่มีขนาดสูงสุดในโลก ณ ขณะนั้น
ทว่าล่าสุด 27 กุมภาพันธ์ 2024 Samsung ประกาศเปิดตัว DRAM รุ่นใหม่ ที่มาพร้อมความจุถึง 36GB เรียกได้ว่าทำลายสถิติแซงรุ่นก่อนหน้าถึง 3 เท่าตัว และเป็นชิปหน่วยความจำที่มีความจุมากสุดในโลก
โดย DRAM รุ่นใหม่นี้มีชื่อทางเทคนิคว่า "HBM3E 12H"
ส่องสเปก-ราคา Galaxy Fit 3สายรัดข้อมืออัจฉริยะล่าสุดจาก Samsung
มาพร้อมแบนด์วิดท์ หรืออัตราการส่งถ่ายข้อมูลเร็วถึง 1,280 กิกะไบต์ต่อวินาที (GB/s) และมีประสิทธิภาพดีกว่ารุ่น HBM3 8H ของ Micron กว่า 50%
HBM3E 12H ใช้นวัตกรรมการผลิตซ้อนกัน 12 ชั้น รวมฟิล์มป้องกันความร้อน ซึ่งแม้ว่าตัวชิปหน่วยความจำดังกล่าวจะมีส่วนประกอบมากถึง 12 ชั้น แต่ก็มีความบางเท่ากับรุ่นที่ผลิตซ้อนกัน 8 ชั้น ทำให้ไม่กินพื้นที่ภายในสมาร์ตโฟนหรืออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่จะถูกนำมาใช้งาน
นอกจากนี้ HBM3E 12H ยังถูกผลิตขึ้นเพื่อรองรับอุปกรณ์ที่มีการใช้ AI ทำงานด้วย ซึ่งการนำ AI มาทำงาน นั้นหมายความว่าต้องการพื้นที่ความจุภายในเครื่องมากขึ้น โดย Samsung ระบุว่า สามารถฝึกฝนและใช้ AI ทำงานได้มากกว่ารุ่น HBM3 8H ถึง 34%
ยอง-ชอล เบ รองประธานบริหารฝ่ายวางแผนผลิตภัณฑ์หน่วยความจำของ Samsung Electronics กล่าวว่า "ผู้ให้บริการในอุตสาหกรรม AI ต้องการระบบชิปหน่วยความจำที่จุได้มากขึ้น และ HBM3E 12H ถูกสร้างขึ้นมาเพื่อการนั้น และเป็นส่วนหนึ่งของการขับเคลื่อน Samsung ให้ก้าวเข้าสู่การพัฒนาเทคโนโลยีขั้นสูง และเป็นผู้นำทางเทคโนโลยีสำหรับตลาดผลิตภัณฑ์ AI"
ที่มา : Samsung
เดชา เผย ทนายคู่กรณีไม่ยอมถอนคำร้องครอบครองปรปักษ์ แม้ผู้ตายกราบเท้าก็ไม่ยอมถอนให้
เกิดอะไรขึ้น กับ บิตคอยน์ ราคาร้อนแรงตลอดวัน ทะยาน 2 ล้านบาท!
นศ.-ศิษย์เก่า "อุเทนถวาย" รวมตัวแสดงพลัง 5 จุด ค้านย้ายสถาบัน!
- คอนเทนต์พิเศษ
สำหรับคุณ - TOP ไอที
- วิดีโอยอดนิยม
